SELECTIVE FILLING METHOD FOR THROUGH GLASS VIA

본 발명은 유리 기판 상면에 구리 증착이 억제될 수 있는 유리관통전극의 선택적 충진 방법에 대한 것이다. 이를 위하여, 유리 기판에 비아를 형성하는 단계; 상기 비아 내벽과 기판 표면에 시드층을 형성하는 단계; 유리 기판의 상면과 하면에 차단층을 형성하는 단계; 및 상기 비아에 구리를 충진하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리관통전극의 선택적 충진 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 구리 충진 후 오버버든이 현저히 감소되므로, 이를 제거하기 위한 공정의 부담이 줄어드는 효과가 있다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	YOO BONG YOUNG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 유리 기판 상면에 구리 증착이 억제될 수 있는 유리관통전극의 선택적 충진 방법에 대한 것이다. 이를 위하여, 유리 기판에 비아를 형성하는 단계; 상기 비아 내벽과 기판 표면에 시드층을 형성하는 단계; 유리 기판의 상면과 하면에 차단층을 형성하는 단계; 및 상기 비아에 구리를 충진하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리관통전극의 선택적 충진 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 구리 충진 후 오버버든이 현저히 감소되므로, 이를 제거하기 위한 공정의 부담이 줄어드는 효과가 있다.