SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR PACKAGE

반도체 패키지는 제1 재배선들을 갖는 제1 재배선층, 상기 제1 재배선층 상에 배치되며 칩 패드들이 형성된 전면이 상기 제1 재배선층을 향하도록 배치되는 반도체 칩, 상기 제1 재배선층 상에서 상기 반도체 칩 둘레에 배치되며, 상기 제1 재배선층을 향하는 제1 면 및 상기 제1 면에 반대하는 제2 면을 갖는 커넥터 기판, 상기 커넥터 기판을 관통하는 복수 개의 관통 전극들, 상기 제1 면 상에 형성되며 코어 및 상기 코어를 덮는 솔더층을 포함하는 코어 볼들을 포함하고, 상기 코어 볼들에 의해 상기 관통 전극들이 상기 제1 재배선들과 전기적으로 연결되는 복수 개의 인터포저 커넥터들, 상기 제1 재배선층 상에서 상기 반도체 칩 및 상기 복수 개의 인터포저 커넥터들을 커버하는 밀봉 부재, 및 상기 밀봉 부재 상에 배치되며 상기 관통 전극들과 전기적으로 연결되는 제2 재배선들을 갖는 제2 재배선층을 포함한다. A semiconductor package includes a first redistribution wiring layer including a first redistribution wiring, a semiconductor chip disposed on the first redistribution wiring layer, a plurality of interposer connectors disposed on the first redistribution wiring layer, each of the plurality of interposer connectors including a first surface facing the first redistribution wiring layer and a second surface opposite the first surface, a plurality of through electrodes and a plurality of core balls formed on the first surface and including a core and a solder layer, the through electrodes being electrically connected to the first redistribution wiring by the core balls, a molding member on the first redistribution wiring layer that covers the semiconductor chip, and a second redistribution wiring layer disposed on the molding member including a second redistribution wiring electrically connected to the through electrodes.