텅스텐(W) 갭 충전을 위한 향상된 응력 튜닝 및 계면 접착

기판 내의 피처를 충전하기 위한 방법들 및 연관된 장치의 실시예들이 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 내의 피처를 충전하는 방법은: PVD(physical vapor deposition) 프로세스를 통해 피처에 텅스텐 질화물의 시드 층을 증착하는 단계; PVD 프로세스를 통해 피처 내의 텅스텐 질화물의 시드 층 상에 텅스텐의 라이너 층을 증착하는 단계; 및 CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 통해 피처를 텅스텐 벌크 충전물로 후속적으로 충전하는 단계를 포함한다. Embodiments of methods and associated apparatus for filling a feature in a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of filling a feature in a substrate includes: depositing a seed layer of tungsten nitride in the feature via a physical vapor deposition (PVD) process; depositing a liner layer of tungsten on the seed layer of tungsten nitride in the feature via a PVD process; and subsequently filling the feature with a tungsten bulk fill via a chemical vapor deposition (CVD) process.