반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 제1 조립 배선 및 제2 조립 배선과 중첩하는 평탄화층의 개구부 내측에 발광 소자를 자가 정렬하는 단계, 평탄화층 및 발광 소자 상에 도전층 및 유기층을 순차적으로 형성하는 단계, 유기층을 애싱(ashing)하여 유기층의 제1 부분 상의 제2 부분을 제거하는 단계, 및 제2 부분에 대응하는 도전층을 에칭(etching)하여 컨택 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 컨택 전극은 발광 소자 하측의 제1 반도체층 측면에 접한다. The manufacturing method of the display device according to the embodiment includes a step of self-aligning the light emitting device inside the opening of the planarization layer overlapping the first assembly wiring and the second assembly wiring, a step of sequentially forming a conductive layer and an organic layer on a planarization layer and a light emitting device, a step of ashing the organic layer to remove the second part on the first part of the organic layer, and a step of forming a contact electrode by etching the conductive layer corresponding to the second part, wherein the contact electrode is in contact with the side of the first semiconductor layer below the light emitting device.