THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는, 반도체층, 상기 반도체층 위에 배치되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 위에 배치되며, 2개 이상으로 분리된 제1 게이트 전극, 상기 제1 게이트 전극 위에 배치되는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 위에 배치되며, 상기 반도체층의 소스 영역 및 드레인 영역과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극 및 상기 제1 게이트 전극 상부에 배치되는 제2 게이트 전극을 포함하며, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이는 채널 영역을 구성할 수 있다. 그 결과 문턱전압 이하 스윙(Subthreshold Swing; SS) 값을 증가시킬 수 있어, 베젤 폭의 증가 없이 저계조 얼룩을 개선할 수 있게 된다. The present disclosure provides a thin film transistor, an electroluminescent display device and a driving transistor. A thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes a semiconductor layer, a first insulating layer disposed on the semiconductor layer, two or more first gate electrodes disposed on the first insulating layer and separated from each other, a second insulating layer disposed on the first gate electrodes, a source electrode and a drain electrode disposed on the second insulating layer and respectively electrically connected to a source region and a drain region of the semiconductor layer and a second gate electrode disposed above the first gate electrodes, a channel region may be configured between the source region and the drain region. As a result, it becomes possible to increase subthreshold swing (SS) value, and thus, it becomes possible to improve low gradation spots without increasing a bezel width.