NON-SILCON SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARY THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD THEREOF AND PIXEL STRUCTURE INCLUDING THE COMPLEMENTARY THIN FILM TRANSISTOR

NON-SILCON SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARY THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD THEREOF AND PIXEL STRUCTURE INCLUDING THE COMPLEMENTARY THIN FILM TRANSISTOR

상보형 박막 트랜지스터가 개시된다. 상기 상보형 박막 트랜지스터는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되는 제1 박막 트랜지스터와 제2 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 제1 도전성 반도체층과 상기 제2 박막 트랜지스터의 제2 게이트 전극층은 동일한 레이어에 배치되고, 동일한 재질인 것인 특징으로 한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KIM YONG HAE, CHO SUNG HAENG, PI JAE EUN, NA JE HO, HWANG CHI SUN, OH HIM CHAN, CHOI JI HUN, KANG SEUNG YOUL, MOON JAE HYUN, YANG JONG HEON, PARK CHAN WOO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	상보형 박막 트랜지스터가 개시된다. 상기 상보형 박막 트랜지스터는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되는 제1 박막 트랜지스터와 제2 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 제1 도전성 반도체층과 상기 제2 박막 트랜지스터의 제2 게이트 전극층은 동일한 레이어에 배치되고, 동일한 재질인 것인 특징으로 한다.