화합물, 박막 형성용 원료, 박막 및 박막의 제조 방법

본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물, 그 화합물을 포함하는 박막 형성용 원료, 박막 및 박막의 제조 방법이다. JPEGpct00020.jpg4375 (식 중, R1 ∼ R4 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R5 및 R6 은 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, A 는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알칸디일기를 나타내고, L 은 하기 일반식 (L-1) 또는 (L-2) 로 나타내는 기를 나타내고, M 은 하프늄 원자, 지르코늄 원자 또는 티탄 원...

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Hauptverfasser: HATASE MASAKO, MITSUI CHIAKI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물, 그 화합물을 포함하는 박막 형성용 원료, 박막 및 박막의 제조 방법이다. JPEGpct00020.jpg4375 (식 중, R1 ∼ R4 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R5 및 R6 은 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, A 는 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알칸디일기를 나타내고, L 은 하기 일반식 (L-1) 또는 (L-2) 로 나타내는 기를 나타내고, M 은 하프늄 원자, 지르코늄 원자 또는 티탄 원자를 나타낸다. 단, R5 및 R6 이 메틸기이고, A 가 탄소 원자수 2 의 알칸디일기이고, M 이 티탄 원자인 화합물의 경우에는, L 은 하기 일반식 (L-2) 로 나타내는 기를 나타낸다.) JPEGpct00021.jpg2761 (식 중, R7 ∼ R9 는 각각 독립적으로, 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, * 는 결합손을 나타낸다. 단, 일반식 (1) 에 있어서 R5 및 R6 이 메틸기이고, A 가 탄소 원자수 2 의 알칸디일기이고, M 이 지르코늄 원자인 화합물의 경우에는, R7 은 메틸기 또는 에틸기를 나타낸다.) A compound is represented by the following general formula (1), a thin-film forming raw material including the compound, a thin-film, and a method of producing a thin-film:wherein R1 to R4 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R5 and R6 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, A represents an alkanediyl group having 1 to 5 carbon atoms, L represents a group represented by the general formula (L-1) or (L-2) described herein, and M represents a hafnium atom, a zirconium atom, or a titanium atom, provided that in a case of a compound in which R5 and R6 each represent a methyl group, A represents an alkanediyl group having 2 carbon atoms, and M represents a titanium atom, L represents a group represented by the general formula (L-2).