몰리브덴의 1불화물에서 5불화물의 제거 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx(단, x는 0 초과 6 미만의 수를 나타낸다.)가 퇴적 또는 피복된 부재에, 할로겐 함유 가스를 접촉시켜, 상기 부재로부터 MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx를 제거하는, MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx의 제거 방법, 및 이 제거 방법을 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법에 의해, MoF6 중에 불순물로서 혼입한 MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx가 퇴적 또는 피복된 부재로부터, 당해 퇴적물 또는 피복물을 제거하는 방법, 및, MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx가 퇴적 또는...
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| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
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