몰리브덴의 1불화물에서 5불화물의 제거 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법

MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx(단, x는 0 초과 6 미만의 수를 나타낸다.)가 퇴적 또는 피복된 부재에, 할로겐 함유 가스를 접촉시켜, 상기 부재로부터 MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx를 제거하는, MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx의 제거 방법, 및 이 제거 방법을 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법에 의해, MoF6 중에 불순물로서 혼입한 MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx가 퇴적 또는 피복된 부재로부터, 당해 퇴적물 또는 피복물을 제거하는 방법, 및, MoFx, 또는, MoFx와 MoOFx가 퇴적 또는 피복된 반도체 디바이스 제조 장치로부터, 당해 퇴적물 또는 피복물을 제거하는 공정을 포함하며, 상기 제조 장치의 폐색이나 오염을 회피할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다. The present invention relates to a method for removing MoFx or MoFx and MoOFx, including: bringing a halogen-containing gas into contact with a member having a deposit or a coating of MoFx or MoFx and MoOFx (where x represents a number greater than 0 and less than 6); and removing MoFx or MoFx and MoOFx from the member, a method for removing a deposit or a coating from a member having the deposit or the coating of MoFx or MoFx and MoOFx mixed as impurities in MoF6 by a method for producing a semiconductor device including the above removing method, and a method for producing a semiconductor device that includes removing a deposit or a coating from a semiconductor device production apparatus having a deposit or coating of MoFx or MoFx and MoOFx, and that can avoid clogging or contamination of the production apparatus.