역전된 전자빔 전류를 사용하는 자체 세정 추출기를 구비한 냉전계 방출기 전자총

e빔 디바이스는 전자를 방출하기 위한 냉전계 방출 소스와, 냉전계 방출 소스로부터 전자를 추출하기 위해 냉전계 방출 소스에 대해 양으로 바이어싱되는 추출기 전극을 포함한다. 추출기 전극은 전자를 위한 제1 개구부를 갖는다. e빔 디바이스는 또한 전자를 위한 제2 개구부를 갖는 미러 전극을 포함한다. 미러 전극은, 제1 동작 모드 동안 추출기 전극에 대해 양으로 바이어싱되고, 제2 동작 모드 동안 추출기 전극에 대해 음으로 바이어싱되도록 구성 가능하다. 추출기 전극은 냉전계 방출 소스와 미러 전극 사이에 배치된다. e빔 디바이스는 추출기 전극 및 냉전계 방출 소스에 대해 양으로 바이어싱되는 애노드를 더 포함한다. 미러 전극은 추출기 전극과 애노드 사이에 배치된다. An e-beam device includes a cold-field emission source to emit electrons and an extractor electrode to be positively biased with respect to the cold-field emission source to extract the electrons from the cold-field emission source. The extractor electrode has a first opening for the electrons. The e-beam device also includes a mirror electrode with a second opening for the electrons. The mirror electrode is configurable to be positively biased with respect to the extractor electrode during a first mode of operation and to be negatively biased with respect to the extractor electrode during a second mode of operation. The extractor electrode is disposed between the cold-field emission source and the mirror electrode. The e-beam device further includes an anode to be positively biased with respect to the extractor electrode and the cold-field emission source. The mirror electrode is disposed between the extractor electrode and the anode.