Semiconductor package

본 발명의 따른 반도체 패키지는 복수의 비아들을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 제 1 칩 스택, 상기 제 1 칩 스택은 상기 기판 상에 순차적으로 적층되는 제 1 반도체 칩들을 포함하고; 상기 제 1 칩 스택 상의 제 2 칩 스택, 상기 제 2 칩 스택은 상기 제 1 칩 스택 상에 순차적으로 적층되는 제 2 반도체 칩들을 포함하고; 상기 기판과 상기 제 1 칩 스택 사이 및 서로 인접한 상기 제 1 반도체 칩들 사이에 각각 배치되는 제 1 열 전도성층들; 및 상기 제 1 칩 스택과 상기 제 2 칩 스택 사이 및 서로 인접한 상기 제 2 반도체 칩들 사이에 각각 배치되는 제 2 열 전도성층들을 포함하되, 상기 제 1 열 전도성층들은 제 1 열 전달 물질을 포함하고, 상기 제 2 열 전도성층들은 제 2 열 전달 물질을 포함하고, 상기 제 2 열 전달 물질의 열 전도율은 상기 제 1 열 전달 물질의 열 전도율보다 높고, 상기 제 1 열 전달 물질의 경도는 상기 제 2 열 전달 물질의 경도보다 높다. A semiconductor package includes a substrate, a first chip stack including a plurality of first semiconductor chips sequentially stacked on the substrate, and a second chip stack including a plurality of second semiconductor chips sequentially stacked on the first chip stack, and first and second pluralities of thermal conductive layers. The first thermal conductive layers are each between the substrate and the first chip stack, or between adjacent first semiconductor chips. The second thermal conductive layers are each between the first chip stack and the second chip stack, or between adjacent second semiconductor chips. A thermal conductivity of a second thermal interface material of the second thermal conductive layers is greater than a thermal conductivity of a first thermal interface material of the first thermal conductive layers, and a stiffness of the first thermal interface material is greater than a stiffness of the second thermal interface material.