CMOS STACKED CMOS IMAGE SENSOR

본 개시의 다양한 실시예들은, 픽셀 센서가 다중 집적 회로(IC) 칩들에 걸쳐있고 픽셀 센서의 광검출기에서 쉘로우 트렌치 격리(shallow trench isolation; STI) 구조물이 없는 적층형 상보적 금속 산화물 반도체(CMOS) 이미지 센서에 관한 것이다. 광검출기와 제1 트랜지스터가 제1 IC 칩에서 픽셀 센서의 제1 부분을 형성한다. 복수의 제2 트랜지스터들이 제2 IC 칩에서 픽셀 센서의 제2 부분을 형성한다. 광검출기에서 STI 구조물을 생략함으로써, 픽셀 센서를 둘러싸며 픽셀 센서를 경계짓는 도핑된 웰은 이와...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	YAUNG DUN NIAN, HSU TZU HSUAN, CHUNG CHI HSIEN, WANG CHEN JONG, WANG TZU JUI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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