가장자리 플라즈마 변조를 위한 성형된 샤워헤드

예시적인 반도체 프로세싱 챔버들은 챔버 바디를 포함할 수 있다. 챔버들은 챔버 바디 내에 배치되는 기판 지지체를 포함할 수 있다. 기판 지지체는 기판 지지 표면을 정의할 수 있다. 챔버들은 챔버 바디 정상에서 지지되어 포지셔닝되는 샤워헤드를 포함할 수 있다. 기판 지지체 및 샤워헤드의 저부 표면은 반도체 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱 영역을 적어도 부분적으로 정의할 수 있다. 샤워헤드는 샤워헤드를 통과하는 복수의 어퍼쳐들을 정의할 수 있다. 샤워헤드의 저부 표면은 기판 지지체의 적어도 일부 바로 위에 포지셔닝되는 환형의 홈 또는 융기부를 정의할 수 있다. Exemplary semiconductor processing chambers may include a chamber body. The chambers may include a substrate support disposed within the chamber body. The substrate support may define a substrate support surface. The chambers may include a showerhead positioned supported atop the chamber body. The substrate support and a bottom surface of the showerhead may at least partially define a processing region within the semiconductor processing chamber. The showerhead may define a plurality of apertures through the showerhead. The bottom surface of the showerhead may define an annular groove or ridge that is positioned directly above at least a portion of the substrate support.