Semiconductor memory device and method for fabricating the same
신뢰성 및 성능을 개선할 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공하는 것이다. 반도체 메모리 장치는 소자 분리막에 의해 정의된 활성 영역을 포함하는 기판, 기판 상에, 제1 방향으로 연장된 비트 라인, 비트 라인과 기판 사이에 배치되고, 비트 라인과 활성 영역을 연결하는 비트 라인 컨택, 비트 라인의 측벽을 따라 연장된 비트 라인 스페이서, 및 비트 라인 컨택의 측벽을 따라 연장되고, 비트 라인의 측벽을 따라 비연장된 비트 라인 컨택 스페이서를 포함한다. Provided is a semiconductor memory device. The...
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| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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