semiconductor device and method of forming package with double-sided integrated passive device

반도체 디바이스가 반도체 다이, 기판 그리고 반도체 다이 또는 기판 위에 형성된 복수의 제1 전도성 기둥을 갖는다. 선택적으로, 제1 전도성 기둥이 반도체 다이 및 기판 위에 형성된다. 전기 컴포넌트는 반도체 다이 위에 배치된다. 전기 컴포넌트는 양면 IPD일 수 있다. 반도체 다이와 전기 컴포넌트가 기판 위에 배치된다. 차폐 프레임이 반도체 다이 위에 배치된다. 복수의 제2 전도성 기둥은 전기 컴포넌트의 제1 표면 위에 형성된다. 복수의 제3 전도성 기둥은 전기 컴포넌트의 제1 표면 맞은편 상기 전기 컴포넌트의 제2 표면 상에 형성된다. 범프 캡은 전도성 기둥의 원위 단부 위에 형성될 수 있다. 상기 기판은 캐비티를 가지며 전기 컴포넌트가 상기 캐비티 내에 배치된다. 언더필 재료는 상기 반도체 다이와 기판 사이에 증착된다. A semiconductor device has a semiconductor die, substrate, and plurality of first conductive pillars formed over the semiconductor die or substrate. Alternatively, the first conductive pillars formed over the semiconductor die and substrate. An electrical component is disposed over the semiconductor die. The electrical component can be a double-sided IPD. The semiconductor die and electrical component are disposed over the substrate. A shielding frame is disposed over the semiconductor die. A plurality of second conductive pillars is formed over a first surface of the electrical component. A plurality of third conductive pillars is formed over a second surface of the electrical component opposite the first surface of the electrical component. A bump cap can be formed over a distal end of the conductive pillars. The substrate has a cavity and the electrical component is disposed within the cavity. An underfill material is deposited between the semiconductor die and substrate.