METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 제조방법은 반도체 웨이퍼를 준비하고, 상기 반도체 웨이퍼의 엣지 부분을 따라, 제 1 반도체 기판의 트림 영역을 제거하며, 상기 트림 영역을 제거한 반도체 웨이퍼를 캐리어 기판에 부착하며, 상기 트림 영역을 따라 엣지 보호 부재를 형성하며, 상기 제 1 반도체 기판의 일정 깊이를 제거하여 제 1 관통 전극을 노출시키며, 상기 제 1 관통 전극의 상부면을 노출시키는 제 2 최종 보호층을 형성하며, 상기 제 2 최종 보호층 상에 상기 제 1 관통 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 상부 연결 패드를 다수 형성하며, 상기 반도체 웨이퍼를 다수의 제 1 반도체 칩으로 분리하는 것을 포함한다. A method for manufacturing semiconductor device includes preparing a semiconductor wafer including a first semiconductor substrate and a first through silicon via; removing a trim region of the first semiconductor substrate along an edge portion of the semiconductor wafer to form a remaining edge region; attaching the semiconductor wafer to a carrier substrate, wherein the remaining edge region is in contact with the carrier substrate; forming an edge protection layer along the remaining edge region; exposing the first through silicon via by removing a predetermined depth of the first semiconductor substrate; forming a second final passivation layer to expose the upper surface of the first through silicon via; forming a plurality of first upper connection pads on the second final passivation layer; and dicing the semiconductor wafer into a plurality of first semiconductor chips.