다층 코팅을 갖는 반도체 챔버 구성요소들

예시적인 반도체 처리 챔버들은 챔버 몸체를 포함할 수 있다. 챔버들은 샤워헤드를 포함할 수 있다. 챔버들은 기판 지지부를 포함할 수 있다. 기판 지지부는 샤워헤드를 향하는 제1 표면을 특징으로 하는 플래튼을 포함할 수 있다. 기판 지지부는 플래튼의 제1 표면에 대향하는 플래튼의 제2 표면을 따라 플래튼과 결합된 샤프트를 포함할 수 있다. 샤프트는 챔버 몸체를 적어도 부분적으로 통해 연장될 수 있다. 코팅이 플래튼의 제1 표면 주위에서 형상추종적으로 연장될 수 있다. 코팅은 플래튼의 제1 표면에 근접한 제1 규소 층을 포함할 수 있고, 제1 규소 층 위에 놓인 제2 물질 층을 포함할 수 있다. Exemplary semiconductor processing chambers may include a chamber body. The chambers may include a showerhead. The chambers may include a substrate support. The substrate support may include a platen characterized by a first surface facing the showerhead. The substrate support may include a shaft coupled with the platen along a second surface of the platen opposite the first surface of the platen. The shaft may extend at least partially through the chamber body. A coating may extend conformally about the first surface of the platen. The coating may include a first layer of silicon proximate the first surface of the platen, and may include a second layer of material overlying the first layer of silicon.