고 종횡비 피쳐들에서의 금속 증착 및 식각
예시적인 식각 방법들은 플루오린 함유 전구체 및 2차 가스를 반도체 처리 챔버의 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 2차 가스는 산소 또는 질소일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 플루오린 함유 전구체 대 2차 가스의 유량 비율은 약 1:1 이상일 수 있다. 방법들은 기판을 플루오린 함유 전구체 및 2차 가스와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 노출된 금속을 포함할 수 있다. 기판은 고 종횡비 구조를 한정할 수 있다. 방법들은, 고 종횡비 구조 내의 노출된 금속을 식각하는 단계를 포함할 수 있다. Exemp...
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| creator | WANG BAIWEI REDDY ROHAN PULIGORU CHEN XIAOLIN C WANG ANCHUAN CUI ZHENJIANG |
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Exemplary methods of etching may include flowing a fluorine-containing precursor and a secondary gas into a processing region of a semiconductor processing chamber. The secondary gas may be or include oxygen or nitrogen. A flow rate ratio of the fluorine-containing precursor to the secondary gas may be greater than or about 1:1. The methods may include contacting a substrate with the fluorine-containing precursor and the secondary gas. The substrate may include an exposed metal. The substrate may define a high aspect-ratio structure. The methods may include etching the exposed metal within the high aspect-ratio structure. |
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Exemplary methods of etching may include flowing a fluorine-containing precursor and a secondary gas into a processing region of a semiconductor processing chamber. The secondary gas may be or include oxygen or nitrogen. A flow rate ratio of the fluorine-containing precursor to the secondary gas may be greater than or about 1:1. The methods may include contacting a substrate with the fluorine-containing precursor and the secondary gas. The substrate may include an exposed metal. The substrate may define a high aspect-ratio structure. The methods may include etching the exposed metal within the high aspect-ratio structure.</description><language>kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240216&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240021285A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25569,76552</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240216&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240021285A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>WANG BAIWEI</creatorcontrib><creatorcontrib>REDDY ROHAN PULIGORU</creatorcontrib><creatorcontrib>CHEN XIAOLIN C</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG ANCHUAN</creatorcontrib><creatorcontrib>CUI ZHENJIANG</creatorcontrib><title>고 종횡비 피쳐들에서의 금속 증착 및 식각</title><description>예시적인 식각 방법들은 플루오린 함유 전구체 및 2차 가스를 반도체 처리 챔버의 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 2차 가스는 산소 또는 질소일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 플루오린 함유 전구체 대 2차 가스의 유량 비율은 약 1:1 이상일 수 있다. 방법들은 기판을 플루오린 함유 전구체 및 2차 가스와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 노출된 금속을 포함할 수 있다. 기판은 고 종횡비 구조를 한정할 수 있다. 방법들은, 고 종횡비 구조 내의 노출된 금속을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
Exemplary methods of etching may include flowing a fluorine-containing precursor and a secondary gas into a processing region of a semiconductor processing chamber. The secondary gas may be or include oxygen or nitrogen. A flow rate ratio of the fluorine-containing precursor to the secondary gas may be greater than or about 1:1. The methods may include contacting a substrate with the fluorine-containing precursor and the secondary gas. The substrate may include an exposed metal. The substrate may define a high aspect-ratio structure. The methods may include etching the exposed metal within the high aspect-ratio structure.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLB8tXmBwptFrW9nLXy9s0Xh7ZQ9bzZPeD15yZvpE960zHkzd4bCqx0db9p6Fd4sm_tmw0qF1xv6Fd50z321oZGHgTUtMac4lRdKczMou7mGOHvophbkx6cWFyQmp-allsR7BxkZGJkYGBgZGlmYOhoTpwoAa5s_FA</recordid><startdate>20240216</startdate><enddate>20240216</enddate><creator>WANG BAIWEI</creator><creator>REDDY ROHAN PULIGORU</creator><creator>CHEN XIAOLIN C</creator><creator>WANG ANCHUAN</creator><creator>CUI ZHENJIANG</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240216</creationdate><title>고 종횡비 피쳐들에서의 금속 증착 및 식각</title><author>WANG BAIWEI ; REDDY ROHAN PULIGORU ; CHEN XIAOLIN C ; WANG ANCHUAN ; CUI ZHENJIANG</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20240021285A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>WANG BAIWEI</creatorcontrib><creatorcontrib>REDDY ROHAN PULIGORU</creatorcontrib><creatorcontrib>CHEN XIAOLIN C</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG ANCHUAN</creatorcontrib><creatorcontrib>CUI ZHENJIANG</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>WANG BAIWEI</au><au>REDDY ROHAN PULIGORU</au><au>CHEN XIAOLIN C</au><au>WANG ANCHUAN</au><au>CUI ZHENJIANG</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>고 종횡비 피쳐들에서의 금속 증착 및 식각</title><date>2024-02-16</date><risdate>2024</risdate><abstract>예시적인 식각 방법들은 플루오린 함유 전구체 및 2차 가스를 반도체 처리 챔버의 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 2차 가스는 산소 또는 질소일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 플루오린 함유 전구체 대 2차 가스의 유량 비율은 약 1:1 이상일 수 있다. 방법들은 기판을 플루오린 함유 전구체 및 2차 가스와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 노출된 금속을 포함할 수 있다. 기판은 고 종횡비 구조를 한정할 수 있다. 방법들은, 고 종횡비 구조 내의 노출된 금속을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
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