고 종횡비 피쳐들에서의 금속 증착 및 식각

예시적인 식각 방법들은 플루오린 함유 전구체 및 2차 가스를 반도체 처리 챔버의 처리 영역 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 2차 가스는 산소 또는 질소일 수 있거나 이를 포함할 수 있다. 플루오린 함유 전구체 대 2차 가스의 유량 비율은 약 1:1 이상일 수 있다. 방법들은 기판을 플루오린 함유 전구체 및 2차 가스와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 기판은 노출된 금속을 포함할 수 있다. 기판은 고 종횡비 구조를 한정할 수 있다. 방법들은, 고 종횡비 구조 내의 노출된 금속을 식각하는 단계를 포함할 수 있다. Exemplary methods of etching may include flowing a fluorine-containing precursor and a secondary gas into a processing region of a semiconductor processing chamber. The secondary gas may be or include oxygen or nitrogen. A flow rate ratio of the fluorine-containing precursor to the secondary gas may be greater than or about 1:1. The methods may include contacting a substrate with the fluorine-containing precursor and the secondary gas. The substrate may include an exposed metal. The substrate may define a high aspect-ratio structure. The methods may include etching the exposed metal within the high aspect-ratio structure.