RESIST UNDERLAYER COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION

하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 또는 이들의 조합을 포함하는 중합체, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물, 그리고 상기 레지스트 하층막용 조성물을 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. [화학식 1] JPEGpat00074.jpg3695 [화학식 2] JPEGpat00075.jpg5597 [화학식 3] JPEGpat00076.jpg2180 상기 화학식 1 내지 3의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다. A resist underlayer com...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KWON SOONHYUNG, KIM SEONGJIN, BAEK JAEYEOL, JIN HWAYOUNG, CHOI YOOJEONG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY COMPOSITIONS BASED THEREON COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS MATERIALS THEREFOR METALLURGY ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP
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Beschreibung
Zusammenfassung:	하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 또는 이들의 조합을 포함하는 중합체, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물, 그리고 상기 레지스트 하층막용 조성물을 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. [화학식 1] JPEGpat00074.jpg3695 [화학식 2] JPEGpat00075.jpg5597 [화학식 3] JPEGpat00076.jpg2180 상기 화학식 1 내지 3의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다. A resist underlayer composition and a method of forming patterns using the resist underlayer composition are provided. The resist underlayer composition may include a polymer including a structural unit represented by Chemical Formula 1, a structural unit represented by Chemical Formula 2, or a combination thereof; a compound represented by Chemical Formula 3; and a solvent.