Semiconductor device
본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 소자는, 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판; 상기 기판을 관통하며, 상기 기판 내의 액티브 영역을 정의하는 소자분리막; 상기 기판의 상기 제1 면 상의 게이트 전극; 상기 기판의 상기 제1 면 상의 상기 게이트 전극 및 상기 액티브 영역과 전기적으로 연결되는 배선 구조체; 및 상기 배선 구조체를 덮고, 절연물질을 포함하는 보호층을 포함하고, 상기 소자분리막의 제1 면은 상기 기판의 상기 제1 면과 동일 평면 상에 위치하고, 상기 소자분리막의 제2 면은 상기 기판의 상기 제2 면...
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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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