Semiconductor device

본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 소자는, 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판; 상기 기판을 관통하며, 상기 기판 내의 액티브 영역을 정의하는 소자분리막; 상기 기판의 상기 제1 면 상의 게이트 전극; 상기 기판의 상기 제1 면 상의 상기 게이트 전극 및 상기 액티브 영역과 전기적으로 연결되는 배선 구조체; 및 상기 배선 구조체를 덮고, 절연물질을 포함하는 보호층을 포함하고, 상기 소자분리막의 제1 면은 상기 기판의 상기 제1 면과 동일 평면 상에 위치하고, 상기 소자분리막의 제2 면은 상기 기판의 상기 제2 면과 동일 평면 상에 위치하며, 상기 액티브 영역은 상기 소자분리막과 상기 게이트 전극 사이에 위치하며, 제1 농도의 도펀트를 포함하는 타겟 도핑 영역; 및 상기 소자분리막과 상기 게이트 전극 사이에 위치하며, 상기 제1 농도보다 작은 제2 농도의 도펀트를 포함하고, 상기 기판의 상기 제2 면에서 상기 타겟 도핑 영역에 이르는 경로 도핑 영역을 포함하고, 상기 타겟 도핑 영역은 상기 기판의 상기 제1 면과 인접하며, 상기 경로 도핑 영역은 상기 기판의 상기 제2 면과 인접하고, 상기 타겟 도핑 영역 및 상기 경로 도핑 영역은 상기 기판의 상기 제2 면을 통해 상기 도펀트를 주입해 형성되고, 상기 기판의 상기 제2 면을 그라인딩하여 상기 소자분리막의 상기 제2 면이 드러나도록 상기 기판을 씨닝한 것을 특징으로 한다. A semiconductor device includes a substrate including first and second surfaces opposing each other. A device isolation layer extends through the substrate and defines an active region in the substrate. A gate electrode is on the first surface of the substrate. A wiring structure electrically connects the gate electrode and the active region. The active region includes a target doped region between the device isolation layer and the gate electrode and including a dopant having a first concentration. A path doped region is between the device isolation layer and the gate electrode and extends from the second surface of the substrate to the target doped region. The path doped region includes a dopant having a second concentration less than the first concentration. The target doped region and the path doped region are formed by implanting the dopant through the second surface of the substrate.