2 Semiconductor device including two dimensional material and electronic apparatus includign the semiconductor device

2차원 물질을 포함하는 반도체 소자 및 이를 포함하는 전자 장치가 개시된다. 개시된 반도체 소자는 이차원 반도체 물질을 포함하는 채널층; 상기 채널층의 가운데 부분에 마련되는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층에 마련되는 게이트 전극; 및 상기 채널층의 양측 부분에 각각 접촉하도록 마련되는 제1 및 제2 도전층을 포함한다. 여기서, 제1 및 제2 도전층은 금속 붕화물을 포함한다. A semiconductor device may include a channel layer including a two-dimensional (2D) semiconductor material, a gate insulating layer on the channel layer, a gate electrode on the gate insulating layer, and a first conductive layer and a second conductive layer respectively on opposite sides of the channel layer. Each of the first and second conductive layers may include metal boride.