POLISHING PAD AND POLISHING METHOD

본 발명은 탄화규소의 단결정 기판을 연마할 때에, 연마 레이트를 소정치 이상으로 하면서, 피연마면의 스크래치의 수의 저감과, 피연마면에 형성되는 주름의 정도의 저감을 양립하는 것을 과제로 한다. 탄화규소 기판을 연마하기 위한 연마 패드로서, 폴리우레탄과, 폴리우레탄으로 고정된 지립을 포함하고, 30℃에서의 손실 탄성률(E'')/저장 탄성률(E')로 표시되는 정접 손실(tanδ)이 0.1 이상 0.35 이하이고, 또한, 유리 전이 온도가 40℃ 이상 65℃ 이하인 연마 패드를 제공한다. A polishing pad for polishing a silicon carbide substrate contains polyurethane and abrasive grains fixed by the polyurethane, and has a loss tangent (tan δ) represented by loss modulus (E″)/storage modulus (E′) of 0.1 to 0.35 at 30° C. and a glass transition temperature of 40° C. to 65° C. Also, a polishing method for polishing the silicon carbide substrate includes a holding step of holding a workpiece having the silicon carbide substrate by a chuck table and a polishing step of polishing the silicon carbide substrate by the polishing pad.