응축 입자 계수 및 사용 방법

공개되는 것은 입자를 검출 및/또는 성장시키는 방법으로, 포화기 표면에 작동 액체의 깊이, 포화기 부위에 노출된 표면 면적, 또는 포화기 표면에 작동 액체의 부피 중 적어도 하나를 모니터링 하여 포화기 부위에 노출된 표면 면적을 조절하는 것을 포함한다. 또한, 공개되는 것은 입자를 검출 및/또는 성장시키기 위한 장치 및 시스템으로, 포화기 표면에 작동 액체의 깊이, 포화기 부위에 노출된 표면 면적, 또는 포화기 표면에 작동 액체의 부피 중 적어도 하나를 모니터링 하여 포화기 부위에 노출된 표면 면적을 조절하도록 설정된 유체학적 시스...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: YATES EDWARD, KNOLLENBERG BRIAN A, HERTERT CARY
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:공개되는 것은 입자를 검출 및/또는 성장시키는 방법으로, 포화기 표면에 작동 액체의 깊이, 포화기 부위에 노출된 표면 면적, 또는 포화기 표면에 작동 액체의 부피 중 적어도 하나를 모니터링 하여 포화기 부위에 노출된 표면 면적을 조절하는 것을 포함한다. 또한, 공개되는 것은 입자를 검출 및/또는 성장시키기 위한 장치 및 시스템으로, 포화기 표면에 작동 액체의 깊이, 포화기 부위에 노출된 표면 면적, 또는 포화기 표면에 작동 액체의 부피 중 적어도 하나를 모니터링 하여 포화기 부위에 노출된 표면 면적을 조절하도록 설정된 유체학적 시스템을 포함한다. 어떤 관점은 증기 생성을 위하여 하나 또는 그 이상의 다공성 구조를 적용하지 않고, 포화기 부위에서 샘플 흐름과 조합하기 위한 담체 유체 및 증기화된 작동 액체를 포함하는 별도의 담체 유체 흐름 또는 주입구를 적용하지 않는다. Disclosed is a method for detecting and/or growing particles, comprising controlling the surface area exposed to the saturator region by monitoring at least one of a depth of the working liquid on the saturator surface, the surface area exposed to the saturator region, or a volume of the working liquid on the saturator surface. Also disclosed is an apparatus or system for detecting and/or growing particles, comprising a fluidics system configured to control the surface area exposed to the saturator region by monitoring at least one of a depth of the working liquid on the saturator surface, the surface area exposed to the saturator region, or a volume of the working liquid on the saturator surface. Certain aspects do not employ one or more porous structures for vapor generation, nor a separate carrier fluid flow or inlet comprising a carrier fluid and vaporized working liquid for combining with the sample flow in the saturator region.