레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법

식 (a01-r) 로 나타내는 산 해리성기를 포함하는 구성 단위 (a01) 을 갖는 수지 성분 (A1) 과, 식 (b0) 으로 나타내는 화합물 (B0) 을 포함하는 산 발생제 성분 (B) 를 함유하는 레지스트 조성물. JPEGpct00152.jpg2869 Ra01, Ra02 는 서로 결합하여 지환식기를 형성해도 되는 포화 지방족 탄화수소기. Ra03 ∼ Ra05 는 그 2 개 이상이 서로 결합하여 지환식기를 형성해도 되는 지방족 탄화수소기 등. JPEGpct00153.jpg2396 X0 은 요오드 원자 등. Rm 은 하이드록시기 등...

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Hauptverfasser: KAWATANI RYO, NGUYEN KHANHTIN, ODASHIMA RIN, FUJINAMI TETSUO, ONISHI KOSHI, TODOROKI SEIJI, ISHII SHUICHI, IKEDA TAKUYA, KATO HIROKI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:식 (a01-r) 로 나타내는 산 해리성기를 포함하는 구성 단위 (a01) 을 갖는 수지 성분 (A1) 과, 식 (b0) 으로 나타내는 화합물 (B0) 을 포함하는 산 발생제 성분 (B) 를 함유하는 레지스트 조성물. JPEGpct00152.jpg2869 Ra01, Ra02 는 서로 결합하여 지환식기를 형성해도 되는 포화 지방족 탄화수소기. Ra03 ∼ Ra05 는 그 2 개 이상이 서로 결합하여 지환식기를 형성해도 되는 지방족 탄화수소기 등. JPEGpct00153.jpg2396 X0 은 요오드 원자 등. Rm 은 하이드록시기 등. nb1 은 1 ∼ 5 의 정수. nb2 는 0 ∼ 4 의 정수. 1 ≤ nb1 + nb2 ≤ 5. Yb0 은 2 가의 연결기 등. Vb0 은 알킬렌기 등. R0 은 탄소 원자수 1 ∼ 5 의 불소화 알킬기 등. Mm+ 는 m 가의 유기 카티온. A resist composition that contains a resin component having a constitutional unit containing an acid-dissociable group represented by General Formula (a01-r) below and contains an acid generator component containing a compound represented by General Formula (b0) below. In General Formula (a01-r), Ra01 and Ra02 represent a saturated aliphatic hydrocarbon group, Ra01 and Ra02 may be bonded to each other to form an alicyclic group. Ra03 to Ra05 represent an aliphatic hydrocarbon group and two or more of Ra03 to Ra05 may be bonded to each other to form an alicyclic group. In General Formula (b-0), X0 represents an iodine atom, Rm represents a hydroxy group, nb1 represents an integer in a range of 1 to 5, nb2 represents an integer in a range of 0 to 4, 1≤nb1+nb2≤5, Yb0 represents a divalent linking group, Vb0 represents an alkylene group, R0 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Mm+ represents an m-valent organic cation