SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자는, 기판 상의 패스-게이트 트랜지스터, 풀-다운 트랜지스터, 및 풀-업 트랜지스터를 포함하는 에스램 셀을 포함하되, 상기 에스램 셀은, 제1 방향으로 연장되는 활성 핀을 포함하고, 상기 패스-게이트 트랜지스터와 상기 풀-다운 트랜지스터는 상기 활성 핀 상에 상기 제1 방향에서 서로 인접하게 배치되고, 상기 패스-게이트 트랜지스터는, 제1 채널 층들, 제1 게이트 전극, 제1 소스/드레인 영역들, 및 제1 내부 스페이서들을 포함하고, 상기 풀-다운 트랜지스터는, 제2 채널 층들, 제2 게이트 전극...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	LEE HYE JIN, YOON SEOK HYEON, LEE SEUNG HUN, LEE KYO WOOK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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