포토레지스트 조성물, 레지스트 패턴을 형성하는 방법, 반도체 장치를 제조하는 방법, 및 기판 처리 장치

비화학 증폭형 레지스트 재료와, 증감제 전구체를 포함하는, 포토레지스트 조성물이 개시된다. 증감제 전구체가, 전리 방사선, 또는 300nm 이하의 파장을 갖는 비전리 방사선의 조사에 의하여, 300nm를 초과하는 비전리 방사선을 흡수하는 증감제를 생성시키는 화합물이다. Disclosed is a photoresist composition comprising a non-chemically amplified resist material and a sensitizer precursor, wherein the sensitizer precu...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MURAMATSU MAKOTO, NAGAHARA SEIJI, DINH CONGQUE
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	비화학 증폭형 레지스트 재료와, 증감제 전구체를 포함하는, 포토레지스트 조성물이 개시된다. 증감제 전구체가, 전리 방사선, 또는 300nm 이하의 파장을 갖는 비전리 방사선의 조사에 의하여, 300nm를 초과하는 비전리 방사선을 흡수하는 증감제를 생성시키는 화합물이다. Disclosed is a photoresist composition comprising a non-chemically amplified resist material and a sensitizer precursor, wherein the sensitizer precursor is a compound that, upon irradiation with ionizing radiation or non-ionizing radiation having a wavelength of 300 nm or less, generates a sensitizer that absorbs non-ionizing radiation having a wavelength more than 300 nm.