SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

기판, 기판 위에 서로 교대로 적층되는 복수의 층간 절연층들 및 복수의 게이트 전극들을 포함하는 게이트 적층 구조물, 게이트 적층 구조물을 관통하여 일 방향을 따라 연장되고, 기판과 연결되는 채널층, 채널층을 둘러싸며 게이트 적층 구조물을 관통하여 일 방향을 따라 연장되는 블로킹 산화물층, 그리고 블로킹 산화물층과 복수의 게이트 전극들 사이에 위치하고, 채널층의 원주 방향을 따라 연장되며, 일 방향으로 서로 이격되어 배치되는 복수의 금속 시드층들을 포함하는, 반도체 장치를 제공한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KIM SUKHOON, LEE SUNJUNG, YANG MINWOO, KONG MYUNG HO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	기판, 기판 위에 서로 교대로 적층되는 복수의 층간 절연층들 및 복수의 게이트 전극들을 포함하는 게이트 적층 구조물, 게이트 적층 구조물을 관통하여 일 방향을 따라 연장되고, 기판과 연결되는 채널층, 채널층을 둘러싸며 게이트 적층 구조물을 관통하여 일 방향을 따라 연장되는 블로킹 산화물층, 그리고 블로킹 산화물층과 복수의 게이트 전극들 사이에 위치하고, 채널층의 원주 방향을 따라 연장되며, 일 방향으로 서로 이격되어 배치되는 복수의 금속 시드층들을 포함하는, 반도체 장치를 제공한다.