PLASMA TREATMENT APPATUS WAFER TO WAFER BONDING SYSTEM AND WAFER TO WAFER BONDING METHOD

플라즈마 처리 장치는 대기압 상태와 진공압 상태 사이에서 전환 가능한 로드 락 챔버 및 상기 로드 락 챔버와의 기판 전달을 수행하고 진공압 상태의 플라즈마 챔버에서 상기 기판 표면에 플라즈마 처리를 수행하기 위한 기판 처리 장치를 포함한다. 상기 기판 처리 장치는, 상기 플라즈마 챔버 내에 배치되며 상기 로드 락 챔버로부터의 기판을 지지하기 위한 기판 지지부, 상기 플라즈마 챔버 내에 플라즈마 가스를 공급하기 위한 플라즈마 가스 공급부, 상기 플라즈마 챔버 내에 수증기를 공급하기 위한 수증기 공급부, 및 상기 플라즈마 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생기를 포함한다. A plasma processing apparatus includes a load lock chamber switchable between an atmospheric pressure state and a vacuum pressure state, and a substrate processing apparatus configured to transfer a substrate to and from the load lock chamber and to perform a plasma process on a surface of the substrate in a plasma chamber under a vacuum atmosphere. The substrate processing apparatus includes a substrate stage disposed within the plasma chamber and configured to support the substrate, a plasma gas supply configured to supply a plasma gas into the plasma chamber, a steam supply configured to supply a water vapor into the plasma chamber, and a plasma generator configured to generate a plasma in the plasma chamber.