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반도체 소자는 반도체 기판에 포함되는 소자 분리 트렌치들 사이에서 돌출되고, 제1 방향에 대해 비스듬한 방향이 장축 방향이 되도록 연장되는 고립된 형상을 가지고, 상기 장측 방향의 양 단부 측벽은 {320}면을 가지는 액티브 패턴을 포함한다. 상기 소자 분리 트렌치 내에 구비되고, 상기 액티브 패턴의 측벽을 덮는 소자 분리 패턴을 포함한다. 상기 액티브 패턴 및 소자 분리막 패턴의 상부에 형성되고, 상기 제1 방향으로 연장되는 게이트 트렌치의 내부에 게이트 구조물들이 구비된다. 상기 게이트 구조물들의 양 측과 인접한 액티브 패턴의...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KIM JUN SOO, JANG SUNG HO, LEE JEE SUN, MOON DAE HYUN, LEE SEON HAENG, KIM JI SEONG, KIM HAN EUN, HAN JOON
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ELECTRICITY
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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Beschreibung
Zusammenfassung:	반도체 소자는 반도체 기판에 포함되는 소자 분리 트렌치들 사이에서 돌출되고, 제1 방향에 대해 비스듬한 방향이 장축 방향이 되도록 연장되는 고립된 형상을 가지고, 상기 장측 방향의 양 단부 측벽은 {320}면을 가지는 액티브 패턴을 포함한다. 상기 소자 분리 트렌치 내에 구비되고, 상기 액티브 패턴의 측벽을 덮는 소자 분리 패턴을 포함한다. 상기 액티브 패턴 및 소자 분리막 패턴의 상부에 형성되고, 상기 제1 방향으로 연장되는 게이트 트렌치의 내부에 게이트 구조물들이 구비된다. 상기 게이트 구조물들의 양 측과 인접한 액티브 패턴의 상부에 제1 및 제2 불순물 영역이 구비된다.