배면 손상을 줄이기 위한 챔버들 및 코팅들

반도체 프로세싱 방법들은 반도체 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역 내에 탄소 함유 재료의 플라즈마를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 반도체 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역 내에 수용된 기판의 배면에 탄소 함유 재료를 증착하는 단계를 포함할 수 있다. 기판의 전면은 탄소 함유 재료가 실질적으로 없는 상태로 유지될 수 있다. 방법들은 기판의 전면에서 에칭 프로세스를 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 기판의 배면으로부터 탄소 함유 재료를 제거하는 단계를 포함할 수 있다. Methods of semiconductor processing may include forming a plasma of a carbon-containing material within a processing region of a semiconductor processing chamber. The methods may include depositing a carbon-containing material on a backside of a substrate housed within the processing region of the semiconductor processing chamber. A front side of the substrate may be maintained substantially free of carbon-containing material. The methods may include performing an etch process on the front-side of the substrate. The methods may include removing the carbon-containing material from the backside of the substrate.