웨이퍼의 가변 상대 속도를 통한 비대칭성 보정
본 개시내용의 특정 양상들은 기판 상의 물질을 제거하는 방법을 위한 기법들을 제공한다. 예시적인 방법은 기판을 제1 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시키는 단계 및 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면을 연마 패드의 연마 표면에 대하여 압박하는 단계를 포함하고, 기판을 제1 축을 중심으로 회전시키는 단계는, 기판을 제1 회전율로 제1 각도만큼 회전시키는 단계, 및 그 다음, 기판을 제2 회전율로 제2 각도만큼 회전시키는 단계를 포함하고, 제1 회전율은 제2 회전율과 상이하다. Certain aspects of the present d...
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| creator | OH JEONGHOON MIKHAYLICHENKO EKATERINA ALONZO GERALD J BROWN BRIAN J ZHANG JIMIN LAU ERIC |
| description | 본 개시내용의 특정 양상들은 기판 상의 물질을 제거하는 방법을 위한 기법들을 제공한다. 예시적인 방법은 기판을 제1 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시키는 단계 및 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면을 연마 패드의 연마 표면에 대하여 압박하는 단계를 포함하고, 기판을 제1 축을 중심으로 회전시키는 단계는, 기판을 제1 회전율로 제1 각도만큼 회전시키는 단계, 및 그 다음, 기판을 제2 회전율로 제2 각도만큼 회전시키는 단계를 포함하고, 제1 회전율은 제2 회전율과 상이하다.
Certain aspects of the present disclosure provide techniques for a method of removing material on a substrate. An exemplary method includes rotating a substrate about a first axis in a first direction and urging a surface of the substrate against a polishing surface of a polishing pad while rotating the substrate, wherein rotating the substrate about the first axis includes rotating the substrate a first angle at a first rotation rate, and then rotating the substrate a second angle at a second rotation rate, and the first rotation rate is different from the second rotation rate. |
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Certain aspects of the present disclosure provide techniques for a method of removing material on a substrate. An exemplary method includes rotating a substrate about a first axis in a first direction and urging a surface of the substrate against a polishing surface of a polishing pad while rotating the substrate, wherein rotating the substrate about the first axis includes rotating the substrate a first angle at a first rotation rate, and then rotating the substrate a second angle at a second rotation rate, and the first rotation rate is different from the second rotation rate.</description><language>kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS ; GRINDING ; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING ; PERFORMING OPERATIONS ; POLISHING ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240201&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240014508A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240201&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240014508A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>OH JEONGHOON</creatorcontrib><creatorcontrib>MIKHAYLICHENKO EKATERINA</creatorcontrib><creatorcontrib>ALONZO GERALD J</creatorcontrib><creatorcontrib>BROWN BRIAN J</creatorcontrib><creatorcontrib>ZHANG JIMIN</creatorcontrib><creatorcontrib>LAU ERIC</creatorcontrib><title>웨이퍼의 가변 상대 속도를 통한 비대칭성 보정</title><description>본 개시내용의 특정 양상들은 기판 상의 물질을 제거하는 방법을 위한 기법들을 제공한다. 예시적인 방법은 기판을 제1 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시키는 단계 및 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면을 연마 패드의 연마 표면에 대하여 압박하는 단계를 포함하고, 기판을 제1 축을 중심으로 회전시키는 단계는, 기판을 제1 회전율로 제1 각도만큼 회전시키는 단계, 및 그 다음, 기판을 제2 회전율로 제2 각도만큼 회전시키는 단계를 포함하고, 제1 회전율은 제2 회전율과 상이하다.
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