웨이퍼의 가변 상대 속도를 통한 비대칭성 보정

본 개시내용의 특정 양상들은 기판 상의 물질을 제거하는 방법을 위한 기법들을 제공한다. 예시적인 방법은 기판을 제1 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시키는 단계 및 기판을 회전시키는 동안 기판의 표면을 연마 패드의 연마 표면에 대하여 압박하는 단계를 포함하고, 기판을 제1 축을 중심으로 회전시키는 단계는, 기판을 제1 회전율로 제1 각도만큼 회전시키는 단계, 및 그 다음, 기판을 제2 회전율로 제2 각도만큼 회전시키는 단계를 포함하고, 제1 회전율은 제2 회전율과 상이하다. Certain aspects of the present disclosure provide techniques for a method of removing material on a substrate. An exemplary method includes rotating a substrate about a first axis in a first direction and urging a surface of the substrate against a polishing surface of a polishing pad while rotating the substrate, wherein rotating the substrate about the first axis includes rotating the substrate a first angle at a first rotation rate, and then rotating the substrate a second angle at a second rotation rate, and the first rotation rate is different from the second rotation rate.