감지 요소들로서 로직 게이트들을 갖는 버스트 모드가 있는 메모리 시스템

감지 요소들로서 로직 게이트들을 갖는 버스트 모드가 있는 메모리 시스템들 및 관련 방법들이 제공된다. 메모리 시스템은, 제1 워드라인에 결합된 제1 세트의 메모리 셀들 및 제2 워드라인에 결합된 제2 세트의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 어레이, 및 어떠한 감지 증폭기도 포함하지 않는 복수의 감지 요소들을 포함한다. 제어 유닛은, 버스트 모드 판독 요청에 응답하여, 동시에: (1) 복수의 제1 세트의 비트라인들 각각에 결합된 제1 워드라인 상에 제1 워드라인 신호를 어써팅하고, (2) 복수의 제2 세트의 비트라인들 각각에 결합된 제2 워드라인 상에 제2 워드라인 신호를 어써팅하며, 버스트의 일부로서, 제1 세트의 메모리 셀들 및 제2 세트의 메모리 셀들 각각의 서브세트에 대응하는 데이터를 출력하는 것을 위한 제어 신호들을 생성하도록 구성된다. Memory systems with burst mode having logic gates as sense elements and related methods are provided. A memory system comprises a memory array including a first set of memory cells coupled to a first wordline, a second set of memory cells coupled to a second wordline, and a plurality of sense elements, not including any sense amplifiers. The control unit is configured to generate control signals for: in response to a burst mode read request, simultaneously: (1) asserting a first wordline signal on the first wordline coupled to each of a plurality of first set of bitlines, and (2) asserting a second wordline signal on the second wordline coupled to each of a plurality of second set of bitlines, and as part of a burst, outputting data corresponding to a subset of each of the first set of memory cells and the second set of memory cells.