SILICON NITRIDE ETCHING COMPOSITION AND METHOD

상부에 질화규소 재료, 폴리실리콘, 산화규소 재료 및/또는 실리사이드 재료를 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 폴리실리콘, 산화규소 재료 및/또는 실리사이드 재료에 비해 질화규소 재료를 선택적으로 제거하기에 유용한 조성물이 제공된다. 본 발명의 조성물은 3D NAND 구조물의 에칭 시 특히 유용하다. Compositions useful for the selective removal of silicon nitride materials relative to polysilicon, silicon oxide materials and/or s...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	YANG MIN CHIEH, BILODEAU STEVEN M, WU HSING CHEN, HONG SEONGJIN, COOPER EMANUEL I
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ADHESIVES CHEMISTRY DYES MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS POLISHES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	상부에 질화규소 재료, 폴리실리콘, 산화규소 재료 및/또는 실리사이드 재료를 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 폴리실리콘, 산화규소 재료 및/또는 실리사이드 재료에 비해 질화규소 재료를 선택적으로 제거하기에 유용한 조성물이 제공된다. 본 발명의 조성물은 3D NAND 구조물의 에칭 시 특히 유용하다. Compositions useful for the selective removal of silicon nitride materials relative to polysilicon, silicon oxide materials and/or silicide materials from a microelectronic device having same thereon are provided. The compositions of the invention are particularly useful in the etching of 3D NAND structures.