기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치

기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 예컨대, 기판을 프로세싱하기 위한 방법은, 플라즈마 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨 내에 배치된 타깃에 DC 타깃 전압을 인가하는 단계, 타깃으로부터 프로세싱 볼륨 내에 배치된 기판 지지부를 향해 스퍼터 재료를 지향시키기 위해 타깃 위에 배치된 자석을 디폴트 속도로 회전시키는 단계, 프로세싱 볼륨에서 인-시튜 DC 전압을 측정하는 단계 - 인-시튜 DC 전압은 DC 타깃 전압과 상이함 -, 측정된 인-시튜 DC 전압이 미리 설정된 값보다 큰지를 결정하는 단계, 측정된 인-시튜 DC 전압이 미리 설정된 값 이하인 경우, 자석을 디폴트 속도로 유지하는 단계, 및 측정된 인-시튜 DC 전압이 미리 설정된 값보다 큰 경우, 인-시튜 DC 전압을 감소시키기 위해 자석을 디폴트 속도 미만의 속도로 회전시키는 단계를 포함한다. Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. For example, a method for processing a substrate comprises applying a DC target voltage to a target disposed within a processing volume of a plasma processing chamber, rotating a magnet disposed above the target at a default speed to direct sputter material from the target toward a substrate support disposed within the processing volume, measuring in-situ DC voltage in the processing volume, the in-situ DC voltage different from the DC target voltage, determining if a measured in-situ DC voltage is greater than a preset value, if the measured in-situ DC voltage is less than or equal to the preset value, maintaining the magnet at the default speed, and if the measured in-situ DC voltage is greater than the preset value, rotating the magnet at a speed less than the default speed to decrease the in-situ DC voltage.