Package substrate and semiconductor package including the same

패키지 기판이 제공된다. 패키지 기판은 세라믹 기판으로서, 복수의 제1 절연층과, 상기 복수의 제1 절연층 사이에 배치되는 제1 회로 배선층을 포함하는, 세라믹 기판; 상기 세라믹 기판의 상면 상에 배치되는 재배선 구조물로서, 복수의 제2 절연층과, 복수의 제2 절연층 사이에 배치되고 상기 제1 회로 배선층에 전기적으로 연결되는 제2 회로 배선층을 포함하는, 재배선 구조물; 및 상기 세라믹 기판과 상기 재배선 구조물의 계면에 제공되는 커패시터 구조물로서, 상기 제1 회로 배선층의 적어도 일부분과 동일한 수직 레벨에 배치되는 하부 전극층, 상기 세라믹 기판과 상기 재배선 구조물 사이에 배치되는 유전체층, 및 상기 유전체층의 상면 상에 배치되는 상부 전극층을 포함하는, 커패시터 구조물을 포함한다. A package substrate includes a ceramic substrate including a plurality of first insulating layers and a first circuit wiring layer disposed in the plurality of first insulating layers, a redistribution structure disposed on an upper surface of the ceramic substrate, and including a plurality of second insulating layers and a second circuit wiring layer disposed in the plurality of second insulating layers and electrically connected to the first circuit wiring layer, and a capacitor structure provided at an interface between the ceramic substrate and the redistribution structure, and including a lower electrode layer disposed at the same vertical level as at least a portion of the first circuit wiring layer, a dielectric layer disposed between the ceramic substrate and the redistribution structure, and an upper electrode layer disposed on an upper surface of the dielectric layer.