Non-volatile memory device

본 기술은 기판; 상기 기판 상에 수직방향으로 교대로 적층되는 복수의 게이트 전극층들 및 복수의 층간 절연층들을 포함하고, 홀 패턴을 포함하는 게이트 구조물; 상기 홀 패턴의 내부에 배치되는 전하저장층; 및 상기 홀 패턴의 내부에서 상기 전하저장층 상에 배치되는 채널층을 포함하고, 서로 다른 레벨에 배치된 상기 채널층은 상기 수직방향으로 중첩된 상기 복수의 층간 절연층들에 의해 서로 분리되는 비휘발성 메모리 장치를 포함한다. A non-volatile memory device includes: a substrate; a gate structure including a plurality of gate electrode layers and a plurality of interlayer insulating layers, which are alternately stacked in a vertical direction on the substrate, the gate structure including a hole pattern; a data storage layer disposed inside the hole pattern; and a channel layer disposed on the data storage layer inside the hole pattern. The channel layer is disposed at each of different levels isolated from each other in the vertical direction by the plurality of interlayer insulating layers.