반도체 웨이퍼 프로세싱에서의 변위 측정들

반도체 제조 프로세스 동안 편평한 표면들로서 시작되는 웨이퍼들은, 기저의 기판에 층들 및 피처들이 추가될 때, 휘어지거나 또는 만곡될 수 있다. 이러한 휘어짐은 변위 센서에 인접한 웨이퍼를 회전시키는 것에 의해 제조 프로세스들 사이에서 검출될 수 있다. 변위 센서는 위로 또는 아래로 만곡되는 웨이퍼의 영역들을 식별하기 위해 베이스라인 측정치에 대한 변위 데이터를 생성할 수 있다. 그 다음, 변위 데이터는 정렬 피처에 대한 웨이퍼 상의 로케이션들로 매핑될 수 있다. 그 다음, 이 매핑은, 웨이퍼가 연마될 때 연마 프로세스시 캐리어 헤드가 웨이퍼를 유지하는 또는 웨이퍼에 압력을 인가하는 방법을 조정하는 것을 비롯하여, 후속하는 반도체 프로세스들에서 파라미터들을 조정하기 위해 사용될 수 있다. Wafers that begin as flat surfaces during a semiconductor manufacturing process may become warped or bowed as layers and features are added to an underlying substrate. This warpage may be detected between manufacturing processes by rotating the wafer adjacent to a displacement sensor. The displacement sensor may generate displacement data relative to a baseline measurement to identify areas of the wafer that bow up or down. The displacement data may then be mapped to locations on the wafer relative to an alignment feature. This mapping may then be used to adjust parameters in subsequent semiconductor processes, including adjusting how a carrier head on a polishing process holds or applies pressure to the wafer as it is polished.