Display device and manufacturing method thereof

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터와 연결된 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 트랜지스터는 구동 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는 스위칭 트랜지스터이고, 상기 제1 트랜지스터의 제1 반도체층에 포함된 불소의 농도가 상기 제2 트랜지스터의 제2 반도체층에 포함된 불소의 농도보다 높으며, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 상기 기판과 가까운 계면에서의 불소 농도 차이가, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 상기 기판과 멀리 위치하는 계면에서의 불소 농도 차이보다 크다. An embodiment of the invention provides a display device including: a substrate; a first transistor comprising a first semiconductor layer and a second transistor comprising a second semiconductor layer, the first and second semiconductor layers positioned on the substrate; a light emitting diode connected to the first transistor, wherein: the first transistor is a driving transistor; the second transistor is a switching transistor; a first concentration of fluorine included in the first semiconductor layer is higher than a second concentration of fluorine in the second semiconductor layer; and a first difference between the first and second concentrations substantially at or near a first interface of the first and second semiconductor layers is larger than a second difference between the first and second concentrations at a second interface of the first and second semiconductor layers, the second interface further from the substrate than the first interface.