Apparatus And Method For Fabricating Semiconductor

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 박막이 형성되는 공간인 챔버; 및 챔버에 설치되어 챔버 내부의 잔여 수소를 제거하는 수소 제거 장치;를 포함하고, 상기 수소 제거 장치는 챔버 내부의 잔여 수소를 전자와 수소 프로톤으로 분해하고, 분해한 전자 및 수소 프로톤을 챔버 외부로 방출하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 방법은 챔버 내부에서 잔여 수소를 전자와 수소 프로톤으로 분해되는 화학 반응이 발생하는 단계; 및 챔버 외부에서 분해된 전자 및 수소 프로톤이 결합되는 화학 반응이 발생하는 단계...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KIM SANGHUN, HUANG DEAN YUAN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 박막이 형성되는 공간인 챔버; 및 챔버에 설치되어 챔버 내부의 잔여 수소를 제거하는 수소 제거 장치;를 포함하고, 상기 수소 제거 장치는 챔버 내부의 잔여 수소를 전자와 수소 프로톤으로 분해하고, 분해한 전자 및 수소 프로톤을 챔버 외부로 방출하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 방법은 챔버 내부에서 잔여 수소를 전자와 수소 프로톤으로 분해되는 화학 반응이 발생하는 단계; 및 챔버 외부에서 분해된 전자 및 수소 프로톤이 결합되는 화학 반응이 발생하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.