A DIELECTRIC STRUCTURE FOR SMALL PIXEL DESIGNS

본 개시의 다양한 실시예들은 이미지 센서에 관한 것이다. 이미지 센서는 제1 영역과 제2 영역을 갖는 기판을 포함한다. 제1 게이트가 제1 영역 위에 있다. 제2 게이트가 제2 영역 위에 있다. 딥 트렌치 격리(DTI) 구조물이 기판 내에 있고 측방향으로 제1 영역과 제2 영역 사이에 있다. 제1 플로팅 확산 노드가 제1 영역에 있다. 제2 플로팅 확산 노드가 제2 영역에 있다. 층간 유전체(ILD) 구조물이 기판 위에 있다. 유전체 구조물이 ILD 구조물과 반도체 기판 사이에 있다. 유전체 구조물은 측방향으로 제1 플로팅 확산 노드와 제2 플로팅 확산 노드 사이에 있다. 유전체 구조물은 제1 및 제2 게이트로부터 측방향으로 이격되어 있다. 유전체 구조물은 DTI 구조물 위에 놓인다. 유전체 구조물의 폭은 DTI 구조물의 폭보다 크다. Various embodiments of the present disclosure are directed towards an image sensor. The image sensor comprise a substrate having a first region and a second region. A first gate overlies the first region. A second gate overlies the second region. A deep trench isolation (DTI) structure is in the substrate and laterally between the first region and the second region. A first floating diffusion node is in the first region. A second floating diffusion node is in the second region. An interlayer dielectric (ILD) structure is over the substrate. A dielectric structure is between the ILD structure and the substrate. The dielectric structure is laterally between the first and second floating diffusion nodes. The dielectric structure is laterally spaced from the first and second gates. The dielectric structure overlies the DTI structure. A width of the dielectric structure is greater than a width of the DTI structure.