공작물로부터 복수의 디스크를 동시에 절단하는 방법

반도체 웨이퍼를 절단하는 방법을 제공한다. 그 방법은, 반도체 잉곳을 공작물로 절단하는 단계; 및 연마재 입자 고정 와이어를 포함하는 와이어 그리드를 이용하여, 그 와이어 그리드를 향해 공작물을 이동시키면서 공작물을 슬라이스들로 소잉 가공하는 단계를 포함한다. 와이어 그리드와 공작물의 최초 접촉 시에, 초기 절단 속도는 2 mm/min 미만이고, 냉각제 흐름은 0.1 ℓ/h 미만이고, 와이어 속도는 20 m/s를 초과한다. 이어서, 공작물은 제1 절단 깊이에 도달할 때까지 와이어 그리드를 통과해 안내되며, 이어서 냉각제 흐름이 적어도 2000 ℓ/h로 증가된다. 절단 속도는 와이어 그리드와 공작물의 최초 접촉과 실린더의 직경의 절반의 절단 깊이까지의 기간 동안은 초기 절단 속도의 70% 미만으로 감소되며, 그 후 다시 증가된다. A method cuts semiconductor wafers. The method includes: cutting a semiconductor ingot into a workpiece; and sawing the workpiece into slices using a wire grid having a fixed abrasive grain wire, while moving workpiece towards the wire grid. At a first contact of the workpiece with the wire grid, an initial cutting speed is less than 2 mm/min, coolant flow is less than 0.1 l/h and a wire speed is greater than 20 m/s. The workpiece is then guided through the wire grid until a first cutting depth is reached, and then the coolant flow is increased to at least 2000 l/h. The cutting speed is reduced to less than 70% of the initial cutting speed between the first contact of the workpiece with the wire grid up to a cutting depth of half a diameter of the cylinder, and is then increased.