SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME AND SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING METHOD USING THE SAME

본 발명은 복수의 파장을 이용하여 기판의 온도를 측정하는 기판 온도 측정 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 기판 온도 측정 장치는, 기판으로부터 제공되는 제1 파장을 갖는 제1 광의 제1 광량, 제2 파장을 갖는 제2 광의 제2 광량, 및 제3 파장을 갖는 제3 광의 제3 광량을 센싱하는 센서부, 센싱된 제1 광량, 제2 광량, 및 제3 광량을 통해 제1 파장에 대한 제1 온도, 제2 파장에 대한 제2 온도, 및 제3 파장에 대한 제3 온도를 계산하는 제1 연산부, 제1 온도, 제2 온도, 및 제3 온도를 통해 기판의 방사율, 및 기판의 반사 에너지를 계산하는 제2 연산부를 포함하고, 계산된 기판의 방사율, 및 기판의 반사 에너지를 통해 기판의 온도를 계산한다. A substrate temperature measuring device includes a sensor which senses a first amount of light of a first light having a first wavelength, a second amount of light of a second light having a second wavelength, and a third amount of light of a third light having a third wavelength provided from a substrate, a first calculator to calculate a first temperature for the first wavelength, a second temperature for the second wavelength, and a third temperature of the wavelength through the first amount of light, the second amount of light and the third amount of light which are sensed, and a second calculator to calculate emissivity of the substrate and reflected energy of the substrate through the first temperature, the second temperature, and the third temperature, wherein a temperature of the substrate is calculated through the calculated emissivity of the substrate and the reflected energy of the substrate.