HIGH RELIABILITY SEMICONDUCTOR PACKAGE DESIGN

전력 반도체 디바이스 패키지. 패키지는 복수 개의 관통 홀들을 갖는 베이스 플레이트를 포함할 수 있다. 또한 패키지는 베이스 플레이트의 상단 측부에 부착된 절연 몸체를 포함할 수 있다. 절연 몸체는, 그 안에 일 세트의 반도체 디바이스들을 둘러싸기 위한 메인 부분, 및 복수 개의 로킹 구조들을 포함할 수 있고, 복수 개의 로킹 구조들은 메인 부분의 하부 주변부를 따라 배치되고, 절연 몸체 내에 일체로 형성되고, 복수 개의 로킹 구조들은 베이스 플레이트를 통해 연장한다. A power semiconductor device package. The package may include a baseplate that has a plurality of through holes. The package may also include an insulating body, affixed to a top side of the baseplate The insulating body may include a main portion, to enclose a set of semiconductor devices therein, and a plurality of locking structures, the plurality of locking structures disposed along a lower periphery of the main portion, and integrally formed within the insulating body, wherein the plurality of locking structures extend through the baseplate.