실리콘 웨이퍼의 접촉각 측정 방법 및 실리콘 웨이퍼의 표면 상태의 평가 방법

순수에 의한 접촉각 측정에서는 검출할 수 없는 실리콘 웨이퍼 표면의 시비어한 친수성 레벨의 차이를 검출하는 것이 가능한 실리콘 웨이퍼의 접촉각 측정 방법을 제공한다. 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 접촉각 측정 방법은, 실리콘 웨이퍼의 표면에 액적을 적하하는 공정과, 상기 액적의 화상으로부터 상기 실리콘 웨이퍼의 표면의 접촉각을 측정하는 공정을 포함하고, 상기 액적이, 순수의 표면 장력보다도 큰 표면 장력을 갖는 수용액으로 이루어진다. A method of measuring the contact angle of a silicon wafer according to the present disclosure can detect differences in the severe hydrophilicity level of the silicon wafer surface, such differences not being detectable by contact angle measurement using pure water. The method of measuring a contact angle of a silicon wafer includes dripping a droplet on a surface of a silicon wafer, and measuring a contact angle of the surface of the silicon wafer from an image of the droplet. The droplet includes an aqueous solution having a surface tension greater than a surface tension of pure water.