TRANSISTOR

트랜지스터는 금속 원자를 포함하는 제1 도체층, 제1 도체층 위에 배치되는 반도체 물질층 및 반도체 물질층 위에 배치되며 금속 원자를 포함하는 제2 도체층을 포함하는 활성층 및 활성층의 일부와 중첩하며, 활성층과 전기적으로 절연되는 게이트 전극을 포함한다. A transistor is disclosed that includes an active layer and a gate electrode. The active layer includes a first conductor layer including metal atoms, a layer of semiconductor material disposed above the first conductor layer, and a second conductor layer disposed above the semiconductor material layer and including the metal atoms. The gate electrode overlaps a part of the active layer and is electrically insulated from the active layer.