게이트 보호를 위한 희생 게이트 캡핑 층

방법은, 기판의 표면을 따라 교호하는 배치로 금속 게이트 적층물 및 소스/드레인 접점 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계를 포함하며, 각각의 소스/드레인 접점 영역은 인접한 금속 게이트 적층물 사이의 각각의 개구부 내에 함입됨으로써, 소스/드레인 접점 영역은 개구부의 하부를 제공하고, 인접한 금속 게이트 적층물은 측벽을 제공하며, 유전체가 기판을 커버함으로써 유전체가 각각의 개구부를 충전한다. 제1 깊이까지 각각의 개구부로부터 유전체의 제1 부분을 제거하도록, 기판이 초기 플라즈마 에칭 공정에 노출되며, 각각의 개구부가 노출되도록 하면서, 희생 게이트 캡핑 층이 기판 상에 형성된다. 제2 깊이까지 각각의 개구부로부터 유전체의 제2 부분을 제거하면서 희생 게이트 캡핑 층을 제거하도록, 기판이 다른 플라즈마 에칭 공정에 노출된다. A method including providing a substrate including metal gate stacks and source/drain contact regions in alternating arrangement along a surface of the substrate, each of the source/drain contact regions being recessed within a respective opening between adjacent metal gate stacks such that source/drain contact regions provide a bottom of the opening and adjacent metal gate stacks provide sidewalls, and a dielectric covering the substrate such that the dielectric fills each opening. The substrate is exposed to an initial plasma etch process to remove a first portion of the dielectric from each opening down to a first depth, and a sacrificial gate capping layer is formed on the substrate while leaving each of the openings uncovered. The substrate is exposed to another plasma etch process to remove the sacrificial gate capping layer while removing a second portion of the dielectric from each opening down to a second depth.