기판 프로세싱 챔버들을 위한 자기적으로 커플링된 RF 필터

반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 반도체 프로세싱 챔버는, 히터 존들을 갖고 기판을 지지하기 위한 페데스탈 및 플라즈마에 RF(Radio Frequency) 신호를 전달하도록 구성된 와이어 메쉬를 포함할 수 있다. 챔버는 또한 히터 존에 전류를 전달하는 히터 존 컨트롤들 및 히터 존 컨트롤들과 히터 존들 사이의 필터 회로를 포함할 수 있다. 필터 회로는 히터 존들로부터의 리드들 상의 인덕터들 및 리드 인덕터들에 자기적으로 커플링된 공진 인덕터를 갖는 공진 회로를 포함할 수 있다. 공진 회로는 RF 신호가 히터 존 컨트롤들에 도달하는 것을 방지하기 위해 히터 존들로부터의 리드들로부터 와이어 메쉬로 전달되는 RF 신호를 필터링하는 공진 피크를 생성할 수 있다. A semiconductor processing chamber for processing semiconductor substrates may include a pedestal to support a substrate with a heater zones and a wire mesh configured to deliver a Radio Frequency (RF) signal to a plasma. The chamber may also include heater zone controls that deliver current to the heater zones and a filter circuit between the heater zone controls and the heater zones. The filter circuit may include inductors on leads from the heater zones and a resonant circuit with a resonant inductor that is magnetically coupled to the lead inductors. The resonant circuit may produce a resonant peak that filters the RF signal delivered to the wire mesh from the leads from the heater zones to prevent the RF signal from reaching the heater zone controls.